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Typical Characteristics
10
2500
8
I D = 5.4 A
V DS = 20V
30V
2000
f = 1MHz
V GS = 0 V
50
6
4
V
1500
1000
C ISS
2
0
500
0
C RSS
C OSS
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
100
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
40
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
10
1ms
10ms
100ms
30
1
1s
10s
DC
20
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
0.01
0.001
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.01
0.001
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 96 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD3690 Rev. C(W)
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